高温四探针测量系统技术规格及功能

高温四探针测量系统是为了更方便的研究在高温条件下的半导体的导电性能，该系统可以完全实现在高温、真空及惰性气氛条件下测量硅、锗单晶（棒料、晶片）电阻率和外延层、扩散层和离子层的方块电阻及测量其他方块电阻。

2、针间绝缘材料：99陶瓷或红宝石；针间绝缘电阻：≥1000MΩ；设备尺寸：666×425×395mm；真空度：10Pa（标配），高真空另选；可测半导体材料尺寸：薄膜直径15-30mm，厚度小于4mm；

2、1.采用双电测组合测量模式，不用进行系数修正；2.可以测量高温、真空、气氛条件下薄膜方块电阻和薄层电阻率；3.可以分析方块电阻和电阻率随温度变化的曲线；4.可以自动调节施加在样品的测试电压，以防样品击穿；5.可以与美国keithley2400数字源表配套测量半导体材料的导电性能；6.可以通过USB传输数据，数据格式是Excel格式。7.可以测量硅、锗单晶电阻率；8.可以测量导电玻璃和其他导电薄膜的方块电阻；9.可以分析方块电阻和电阻率随温度变化的曲线；10.可以分析方块电阻和电阻率随温度变化的曲线；