高温四探针测量系统技术规格及功能

1、温度测量范围：室温---600℃；

控温精度：±1℃；

电阻：10-5 ～105 Ω；

电阻率：10-5 ～105 ΩNaN ；

方块电阻：10-4 ～106 Ω/□；

电导率：10-5 ～105 s/cm；

探针间距：2±0.01mm，

压力探针：0~2kg可调

2、针间绝缘材料：99陶瓷或红宝石；

针间绝缘电阻：≥1000MΩ；

设备尺寸：666×425×395mm；

真空度：10Pa（标配），高真空另选；

可测半导体材料尺寸：薄膜直径15-30mm，厚度小于4mm；

1、1.自主研发耐高温四探针夹具，重复性和稳定性更高；

2.手动升降平台，让您的操作轻松、快捷、稳定、可靠；

3.自带温度校准功能电极夹具系统，让测量温度尽可能与样品实际温度保持一致。

4.系统采用双电测组合测量，消除探针和样品自身的影响；

5.系统可自动调节样品测试电压，探针和薄膜接触无火花现象；

6.系统在真空下可精准调节探针距离;

7.系统与美国Keithley2400源表配合使用，无需手动操作keithley2400源表。

2、1.采用双电测组合测量模式，不用进行系数修正；

2.可以测量高温、真空、气氛条件下薄膜方块电阻和薄层电阻率；

3.可以分析方块电阻和电阻率随温度变化的曲线；

4.可以自动调节施加在样品的测试电压，以防样品击穿；

5.可以与美国keithley2400数字源表配套测量半导体材料的导电性能；

6.可以通过USB传输数据，数据格式是Excel格式。

7.可以测量硅、锗单晶电阻率；

8.可以测量导电玻璃和其他导电薄膜的方块电阻；

9.可以分析方块电阻和电阻率随温度变化的曲线；

10.可以分析方块电阻和电阻率随温度变化的曲线；