场效应管，MOS管，MOSFET的操作原理

MOS管的操作原理

MOSFET的核心：金属—氧化层—半导体电容金属—氧化层—半导体结构MOSFET在结构上以一邗锒凳审个金属—氧化层—半导体的电容为核心。氧化层的材料多半是二氧化硅（二氧化硅的化学式为SiO₂，不溶于水。不溶于酸，但溶于氢氟酸及热浓磷酸，能和熔融碱类起作用。自然界中存在有结晶二氧化硅和无定形二氧化硅两种。二氧化硅用途很广泛，主要用于制玻璃、水玻璃、陶器、搪瓷、耐火材料、气凝胶毡、硅铁、型砂、单质硅、水泥等。一般的石头主要由二氧化硅、碳酸钙构成。），其下是作为基极的硅，而其上则是作为栅极的多晶硅。这样子的结构正好等于一个电容器，氧化层扮演电容器中介电质的角色，而电容值由氧化层的厚度与二氧化硅的介电常数来决定。栅极多晶硅与基极的硅则成为MOS电容的两个端点。当一个电压施加在MOS电容的两端时，半导体的电荷分布也会跟著改变。考虑一个P型的半导体（空穴浓度为NA）形成的MOS电容，当一个正的电压VGB施加在栅极与基极端时，空穴的浓度会减少，电子的浓度会增加。当VGB够强时，接近栅极端的电子浓度会超过空穴。这个在P型半导体中，电子浓度（带负电荷）超过空穴（带正电荷）浓度的区域，便是所谓的反转层。

MOS电容的特性决定了MOSFET的操作特性，但是一个完整的MOSFET结构还需要一个提供多数载流子的源极以及接受这些多数载流子的漏极。