怎样提高LED外延结构的内量子效率

1、双异质结结构：两侧的CL（Cladding Layer）的禁带宽度要大于AL（Active Layer），AL采用量子阱结构可以更好的限制载流子，从而提升IQE。另外一方面，采用量子阱AL，Barriers阻碍载流子在相邻阱的移动，所以采用多量子阱结构，Barrier需要足够透明（低和薄）以防止载流子在每个阱内的不均匀分配。AL厚度也对IQE有很大影响，不能太厚，也不能太薄，每种材料有其最佳范围。

5、PN结移位：一般上CL是p型，下CL 是n型。PN结移位会影响IQE，特别是Zn、Be等小原子，可以轻易扩散过AL，到下CL。同时，Zn、Be的扩散系数很明显有浓度依赖性，当浓度超过极限，扩散速度大大提高，所以必须十分小心。

6、非辐射复合：表面必须离开AL几个扩散长度的距离，这就是MESA型led曝露AL，其IQE远远低于Planar的RCLED的原因。需要指出的是曝露的表面如果只有一种载流子，则不影响IQ呶蓟鹭毵E。由此可见，MOCVD象艺术多过象技术，很多参数都是一种动态平衡中选取最佳范围，而且这还是看单一影响，如果复合效果则更加复杂，有时只有经验，而没有理论和公式，甚至变换设备也没有可行的依据，所以我们在MOCVD人才引进上要看其工艺技术的功底、以及其所处环境的技术氛围和底蕴，如果有人夸口到国内可以马上把MOCVD技术搞上去，那就是吹牛了，大家千万不要上当受骗。上面只是简单说了一下关系，具体的大家还要根据实践去摸索。