如何理解MOS管衬底偏置效应?

1、平时我们说的Vth指的是零偏时的开启电压，对于NMOS来说，就是S和B短接时，而且接地时的开启电压Vth0

2、对于NMOS来说，就是S和B短接时，而且接VDD时的开启电压Vth0

3、对于下图NM0中的S和B之间的电压就不是0了，而且S端的电压肯定比B高，因为B端是接地的，这里假定电流的方向是流向地的

4、下图中PM3中的S和B电压也是不等的。

5、从下图中的解释就可以明白了：对于NMOS管上加的栅压，不仅用来感应固定的负电荷，也用来感应可动的负电荷，若B和S处于反偏的话，则耗尽区的固定的负电荷越多，所以就需要更多的栅压来感应多出来的负炼蓄晦擀电荷（相对于零偏时）

6、和PMOS的道理一样，不过也可以这样理解：对于同样的栅压，用于感应固定正电荷的多了，则感应出可动的负电荷就少了。还可以唁昼囫缍这样理解：要产生同样的可动的负电荷，即同样的电流的话，则对于反偏的PMOS来所需要加的栅压就要高些（这里指的是绝对值）