如何理解MOS管衬底偏置效应?
1、平时我们说的Vth指的是零偏时的开启电压,对于NMOS来说,就是S和B短接时,而且接地时的开启电压Vth0

3、对于下图NM0中的S和B之间的电压就不是0了,而且S端的电压肯定比B高,因为B端是接地的,这里假定电流的方向是流向地的

5、从下图中的解释就可以明白了:对于NMOS管上加的栅压,不仅用来感应固定的负电荷,也用来感应可动的负电荷,若B和S处于反偏的话,则耗尽区的固定的负电荷越多,所以就需要更多的栅压来感应多出来的负炼蓄晦擀电荷(相对于零偏时)

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